تحديد ارتفاع حاجز شوتكي لديود ملدن وغير ملدن Ni – n-GaAs بوساطة المميزات السعوية(C-V)

الملخص

تمت في هذا البحث دراسة المميزات السعوية C-V لديودات شوتكي الملدنة و غير الملدنة من النوع Ni-n-GaAs عند درجة حرارة  300K قبل و بعد قذفها بطاقات ليزرية مختلفة. تمّ حساب تركيز الشوائب المانحة في قاعدة الديود فكانت قيمها تتراوح بين 0.65×10¹⁵)cm^-3 - 0.63×10¹⁵) في الديودات غير الملدنة ،  بينما كانت قيمها تتراوح بين  0.94×10¹⁵ – 1.08×10¹⁵) cm^-3) في الديودات الملدنة و تزايدت السعة مع زيادة طاقة الجرعات الليزرية في الديودات غير الملدنة بينما تناقصت في الديودات الملدنة . كذلك تمّ حساب ارتفاع حاجز شوتكي في الديودات غير الملدنة فكانت تتراوح بين V( 0.708 - 0.688) أما في الديودات الملدنة فكانت تتراوح بين
0.87)V - 0.79) و أخيراّ تم مقارنة هذا الارتفاع  مع قيمته المحسوبة وفقاً لنظرية شوتكي فكانت النتائج متقاربة .

In this research ,the characteristics C-V were studied for annealed and non- annealed Schottky diodes of Ni-n-GaAs type at 300K temperature before and after irradiation by different laser energies. Donor impurities concentration in the diode substrate was calculated and it ranged between (0,63 ×10¹⁵ -0,65×10¹⁵) cm^-3 in non-annealed diodes. While it was ranged between(1.08×10¹⁵-0.94×10¹⁵ )cm^-3 in annealed diodes. The capacity increased by the increase of the laser doses in the non-annealed diodes while it decreased in annealed diodes. In addition to, Schottky barrier height in non-annealed diodes was calculated and it ranged between( 0.708- 0.688)V. While in annealed diodes, it ranged between (0.79 -0.87)V. Finally this height was calculated according to Schottky theory and the results were very  close.