(untitled) (Latakia University Journal -Basic Sciences Series, 2018)
في هذه الدراسة قمنا بتحضير أفلام رقيقة من أكسيد السيليكون النقي والمشاب بالفضة بتقانة المحلول الجيلاتيني بطريقة التدفق. وذلك انطلاقاً من المادة البادئة TEOS في محلين منفصلين هما الإيتانول والبروبانول ، ودرست إشابة المحلول الجيلاتيني النقي (لكل من المحلين على حِده) بنترات الفضة بنسبة 20% للحصول على أفلام رقيقة من أوكسيد السيليكون المشاب بالفضة في الدرجة 400 مئوية, بإتباع خطوات التحضير ذاتها. وقد أظهرت الأغشية المحضرة باستخدام محل الإيتانول قيماً جيدة للنفوذية تراوحت بين80)-(91% في مجال الأشعة المرئية من اجل الأفلام النقية بينما تراوحت بين60)-(86% لاجل الأفلام المشوبة ، بينما أظهرت الأغشية المحضرة باستخدام البروبانول كمحل قيماً للنفوذية تراوحت بين(60-85)% في مجال الأشعة المرئية من أجل الأفلام النقية و (60-81)% لأجل الأفلام المشوبة. وبلغت قيمة الفجــوة الطاقية للأغشية النقية المحضـرة باستخدام الايتانول كمحل ( eV 3.81 ) للانتقال المباشر المسموح و ( eV 3.79 ) للانتقال غير المباشر المسموح ، بينما بلغت القيمة باستخدام البروبانول كمحل (eV 3.78 ) للانتقال المباشر المسموح و ( eV 3.71 ) للانتقال غير المباشر المسموح و هذا يتوافق مع القيم المثبتة في المراجع العلمية . (SiO2) and (Ag:SiO2)20% doping ratio thin films have been prepared by Sol-Gel Process with Flow Coating technique, using TEOS as starting materials and different solvents C2H5OH , C3H7OH at 400Co. Generally films show high transmittance from (80%- 91%) for pure films and (60%-86%) for (Ag:SiO2) 20% doping ratio in the visible region of electromagnetic spectrum using C2H5OH solvent; while it is (60%-85%) for pure films and (60%-81%) for (Ag:SiO2) 20% doping ratio in the visible/near infrared regions of electromagnetic spectrum using C3H7OH solvent. While the band gap of the pure oxide film is in the range of 3.81 eV. and 3.79 eV for direct and indirect transition allowed respectively using C2H5OH solvent , the band gap of the pure oxide film is in the range of 3.78 eV.and 3.71 eV for direct and indirect transition allowed respectively using C3H7OH solvent.