التلف الحاصل للخلايا الشمسية نتيجة تعريضها للتشعيع بالإلكترونات (مجلة جامعة اللاذقية - سلسلة العلوم الأساسية, 2018)
يتناول هذا البحث التلف الحاصل للخلايا الشمسية نتيجةً لتعرضها للتشعيع بالإلكترونات.  قمنا بتعريض هذه الخلايا لحزم من الإلكترونات ذات تدفق متغير لخلق عيوب فيها تلعب دوراً أساسياً كمراكز إعادة اتحاد غير مشعة (non-radiative recombination centers (. وسعينا لخلق نفس الظروف التي تتعرض لها الخلية الشمسية في الفضاء الخارجي, ثم درسنا التغيرات التي تطرأ على الخصائص الفولطية الضوئية لهذه الخلايا. بينت القياسات أن جهد الدارة المفتوحة لخلية شمسية GaAs  يتغير بتابعية جرعة التشعيع الإلكتروني  والتي تقع ضمن المجال: 2x1012elec.cm-2 <  < 5x1015 elec.cm-2 ووجدنا أنه يساوي: Voc = 1.22-0.04 log             V Voc = 2.39-0.12 log            V لكل من منطقتي الانتشار وإعادة الاتحاد على الترتيب. وقد وجدنا أن كثافة تيار الدارة المقصورة Jsc تتغير مع تغير جرعة التشعيع الإلكتروني وفق العلاقة: mA.cm-2 Jsc =62.47-3.45 log   يظهر تلف الخلايا الشمسية التي درسناها في تناقص الاستطاعة العظمى لها نتيجة تزايد  . تم إجراء القياسات في مختبر الأوساط غير المنتظمة واللامتجانسة, جامعة بيير وماري كوري (باريس VI)  فرنسا   عام 2002, 2001   This article deals with the degradation of solar cells induced by electron irradiation. We have exposed GaAs solar cells to different doses of accelerated electrons to create defects, which play an important role as non-radiative recombination centers. We try to achieve the same conditions to which the solar cells are exposed to in outer space. We have studied the variation of the photovoltaic characteristics of these cells versus electron flux. We found out that the open – circuit voltage of GaAs solar cells varies with the electron irradiation dose j, which we varied in the interval: 2x1012 elec.cm-2 < j