دراسة الخصائص البنيوية للأفلام الرقيقة المحضرة من أوكسيد السيلكيون بتقانة (Sol-Gel)

الملخص

قمنا في هذا العمل بتحضير أفلام رقيقة من أكسيد السيليكون المشاب بالفضة بتقانة المحلول الجيلاتينيSol-Gel  بطريقة التغطية بالتدفق (Flow Coating) . حيث تم استخدام مادة تترا إيثيل أورتوسيليكات TEOS كمادة بادئة تم حلّها في محلين منفصلين هما الإيتانول C₂H₅OH والبروبانول C₃H₇OH للحصول على المحلول الجيلاتيني اللازم للتغشية (التغطية) وفق تقانة Sol-Gel بطريقة التغطية بالتدفق على ركائز زجاجية عادية بعد تنظيفها بعناية, وتمت معالجة العينات حرارياً في الدرجة 400C^o لمدة ساعة ثم نقلت إلى مجفف درجة حرارته 200C^o وتركت فيه لتنخفض درجتها ببطء لمدة ساعة, ووضعت بعدها في جو المختبر لإجراء الدراسات عليها. وبذلك تم الحصول على أفلام رقيقة من أوكسيد السيليكون النقي.

تمت الدراسة البنيوية باستخدام مطيافية انعراج الأشعة السينية XRD وتبين أن الفيلم الرقيق من أوكسيد السيليكون النقي قد تشكل عند الدرجة 400C^o. ثم تمت إشابة المحلول الجيلاتيني (لكل من المحلين على حده) بنترات الفضة بنسبة 20% للحصول على أفلام رقيقة من أوكسيد السيليكون المشاب بالفضة باتباع الخطوات ذاتها. ووجد أن استخدام البروبانول كمحل يعطي نتائج عملية واضحة بالمقارنة مع المواصفات العالمية.

(SiO₂) and (Ag: SiO₂ ) Thin Films have been prepared by Sol-Gel Process with Flow Coating technique ,using TEOS as starting materials and different solvents  C2H5OH , C3H7OH.

Silicon oxide (SiO2) Pure thin films have been deposited on cleaned glass substrates by a Sol– Gel with Flow – Coating process.

Thin films of SiO2 were successfully prepared by heat treatment at 400 C^o and annealed at 200C^o for one hour . Then these thin films have been studied by using X- Ray Difraction.

XRD spectra show that the films formed at 400C^o. and (Ag: SiO2) films using C3H7OH solvent showed better stability and crystalline structure compared with  C2H5OH solvent.