دراسة البنية الإلكترونية لبلورة Bi12SiO20بوساطة الانعكاس الضوئي*

الملخص

تم قياس معامل طيف انعكاس البلورة الأحادية Bi₁₂SiO₂₀ في مجال الطاقة (1,5-12 eV) في درجة حرارة الغرفة لوحظ في طيف الانعكاس بنية غنية مطابقة للانتقالات الإلكترونية بين العصابات. تم تفسير البنية الضوئية الملاحظة في طيف الانعكاس بدلالة الانتقالات ما بين السويات O^2-(2p) وعدد من عصابات الناقلية. حدد مخطط عصابات الطاقة بشكل رئيسي بوساطة بنية الشبكة بزموث-أكسجين. وقد تبين أن الانتقالات الضوئية تحدث عند النقاط السرجية (Saddle points) على المستقيم G-P(L). وإن احتمال الانتقالات الضوئية عند النقطتينP و H ضعيف بسبب انخفاض كثافة الاحتمالات المتوقع هناك.

The normal-incidence reflectance spectrum of Bi₁₂SiO₂₀ single crystal in the energy range from 1.5 to 12 eV at room temperature has been measured. A rich structure corresponding to the optical interband transitions were observed in the reflectivity spectrum. The observed optical structures in the spectrum were interpreted in terms of transitions between O^2-(2p) levels and the various conduction bands. The energy band scheme of Bi₁₂SiO₂₀ is determined mainly by the bismuth and oxygen net structure. The optical transitions occur at the saddle points on the G-P(L) line. The probability of transitions at the P and H points is low, because of the density of states is expected to be low there.